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Si1025X
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (min) (V)
- 60
R DS(on) ( ? )
4 at V GS = - 10 V
V GS(th) (V)
- 1 to - 3.0
I D (mA)
- 500
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? High-Side Switching
? Low On-Resistance: 4 ?
? Low Threshold: - 2 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 20 ns (typ.)
? Low Input Capacitance: 23 pF (typ.)
? Miniature Package
? Gate-Source ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-89
S 1
1
6
D 1
BENEFITS
? Ease in Driving Switches
G 1
2
5
G 2
Markin g Code: D
?
?
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
?
High-Speed Circuits
D 2
3
4
S 2
?
Easily Driven Without Buffer
Top V ie w
?
Small Board Area
Orderin g Information: Si1025X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories, Transistors etc.
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
? Solid State Relays
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 200
- 145
- 650
- 190
- 135
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 450
- 380
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
ESD
280
145
- 55 to 150
2000
250
130
mW
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71433
S10-2432-Rev. C, 25-Oct-10
www.vishay.com
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